Indexed by：
Abstract：
从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响.结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著.增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻,降低高频噪声.发射极条宽从2μm减少为1μm,对噪声的改善很有限.对1μm或2μm条宽,40μm条长的5个基极条或9个基极条的SiGe HBT,在片测试表明,频率从0.4 GHz增加到1.2 GHz,噪声系数在2.5～4.6 dB之间变化.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2006
Issue： 5
Volume： 36
Page： 598-600
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 6
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 10
Affiliated Colleges：
