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常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.
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Source ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2005
Issue： 10
Volume： 30
Page： 19-21,45
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