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对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度.为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础.
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激光与红外
ISSN： 1001-5078
Year： 2005
Issue： 3
Volume： 35
Page： 181-183
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