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对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较,指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点.介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL的器件研究情况.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2005
Issue： 2
Volume： 30
Page： 21-24,29
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