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曾兆权 (曾兆权.) | 杜小龙 (杜小龙.) | 刘玉资 (刘玉资.) | 英敏菊 (英敏菊.) | 梅增霞 (梅增霞.) | 郑浩 (郑浩.) | 袁洪涛 (袁洪涛.) | 郭丽伟 (郭丽伟.) | 贾金锋 (贾金锋.) | 薛其坤 (薛其坤.) | 张泽 (张泽.)

Indexed by：

CQVIP CSCD

Abstract：

宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性.ZnO在高自由激子结合能(60meV)、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势,在短波长低阈值发光二极管(LED)以及激光二极管等方面具有广阔的应用前景[1].

Keyword：

发光二极管 激子结合能 晶体结构 对环境友好 激光二极管 特性 低阈值 宽禁带 面具 直接带隙 晶格常数 应用前景 自由 能带宽度 异质结 湿法刻蚀 半导体材料 短波长

Author Community：

  • [ 1 ] [曾兆权]中国科学院物理研究所
  • [ 2 ] [杜小龙]中国科学院物理研究所
  • [ 3 ] [刘玉资]中国科学院物理研究所
  • [ 4 ] [英敏菊]中国科学院物理研究所
  • [ 5 ] [梅增霞]中国科学院物理研究所
  • [ 6 ] [郑浩]中国科学院物理研究所
  • [ 7 ] [袁洪涛]中国科学院物理研究所
  • [ 8 ] [郭丽伟]中国科学院物理研究所
  • [ 9 ] [贾金锋]中国科学院物理研究所
  • [ 10 ] [薛其坤]中国科学院物理研究所
  • [ 11 ] [张泽]北京工业大学

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Source ：

电子显微学报

ISSN： 1000-6281

Year： 2005

Issue： 4

Volume： 24

Page： 340-341

Cited Count：

WoS CC Cited Count： 0

SCOPUS Cited Count：

ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All

WanFang Cited Count： 6

Chinese Cited Count：

30 Days PV： 7

Affiliated Colleges：

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