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运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420 ℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上.该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法.
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光电子·激光
ISSN： 1005-0086
Year： 2004
Issue： 7
Volume： 15
Page： 839-841
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