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针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间(trr)、反向恢复软度因子(S)、正向压降(VF)、漏电流(IR)等各个单项性能的影响,以及对trr-S、trr-VF和trr-IR等各项性能综合折衷的影响.这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值.
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半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2003
Issue： 5
Volume： 24
Page： 520-527
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