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通过优化生长条件,利用EMCORE D125 MOCVD外延系统,制备了高迁移率的GaAs外延层,其迁移率在室温下达到了8 879 cm2/V@s,在77 K温度下超过了130 000cm2/V@s.结果表明,衬底表面氧化是影响外延层迁移率的重要因素.
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半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2002
Issue： 6
Volume： 23
Page： 412-414
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