Indexed by：
Abstract：
较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响.用热丝增强射频等离子体CVD法，以NH3，B2H6和H2为反应气体，在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上，成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜.还用13.56MHz的射频溅射系统将c-BN薄膜沉积在Si衬底上，靶材为h-BN(纯度99.99%)，溅射气体为氩气和氮气的混合气体，所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于90%.用X射线衍射谱和傅里叶变换红外谱对样品进行的分析表明，衬底材料与c-BN的晶格匹配情况，对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大，而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
Year： 2001
Issue： 1
Volume： 50
Page： 83-87
1 . 0 0 0
JCR@2022
ESI Discipline： PHYSICS;
JCR Journal Grade：3
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 11
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 9
Affiliated Colleges：
