Indexed by：
Abstract：
cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
材料科学与工程
ISSN： 1673-2812
Year： 2000
Issue： z2
Volume： 18
Page： 633-636
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 5
Affiliated Colleges：
