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曾庆明 (曾庆明.) | 吕长志 (吕长志.) | 刘伟吉 (刘伟吉.) | 李献杰 (李献杰.) | 赵永林 (赵永林.) | 敖金平 (敖金平.) | 徐晓春 (徐晓春.)

Indexed by:

CSCD

Abstract:

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导~157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.

Keyword:

GaN HEMT

Author Community:

  • [ 1 ] [曾庆明]信息产业部电子第13研究所
  • [ 2 ] [吕长志]北京工业大学
  • [ 3 ] [刘伟吉]信息产业部电子第13研究所
  • [ 4 ] [李献杰]信息产业部电子第13研究所
  • [ 5 ] [赵永林]信息产业部电子第13研究所
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  • [ 7 ] [徐晓春]信息产业部电子第13研究所

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Source :

功能材料与器件学报

ISSN: 1007-4252

Year: 2000

Issue: 3

Volume: 6

Page: 170-173

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