Abstract：
本文采用PECVD制备前驱体硅基薄膜,再通过固相晶化法,在普通浮法玻璃上制备得到晶化率较高的多晶硅薄膜.文章中结合微区拉曼测试与光学测试,分析了薄膜在退火过程中晶化率及光学带隙的变化情况.另外,退火处理具有不同晶化率的前驱体硅基薄膜,进一步研究初始结晶成分在固相晶化过程中的作用,探讨了完全非晶和具有一定初始晶化率的两种前驱体硅基薄膜,退火过程中的不同晶化机理.认为固相晶化具有一定结晶成分的硅基薄膜,不需要形核过程,因此可以有效降低固相晶化激活能,但最终得到的晶粒尺寸要小于晶化完全非晶的样品.
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Year： 2013
Page： 257-257
Language： Chinese
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