Abstract：
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅薄膜晶化率计算方法.解决了由于铝诱导晶化硅薄膜过程中不同区域晶化率差异,导致总晶化率统计上困难的问题.针对我们的研究结果,进一步探讨了非晶硅晶化中出现的形核与生长机理和模型.我们认为,Si 的形核发生在Al/Si 界面并在周围形成Si 耗尽区,由此也阻止了新形核的出现.
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Year： 2012
Page： 1-7
Language： Chinese
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