Abstract：
本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构把点注入PNM(Partially Narrow Mesa,局部窄台面)槽栅结构应用于内透明集电极IGBT中,通过对PNM-ITC-IGBT进行仿真,并与不同槽栅间距的普通槽栅内透明集电极IGBT对比,结果表明新结构在导通特性、开关特性、短路特性等方面,有良好性能,尤其在短路特性方面,极大改善了槽栅IGBT坚固性.
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Year： 2013
Page： 209-212
Language： Chinese
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