Abstract：
本文采用ISE仿真软件对AIGaN/GaN HEMT的不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369mS/mm,261mS/mm和495mS/mm,最大漏源电流分别为:681.21mA/mm、467.56 mA/mm和1004.6 mA/mm。其特性随温度的升高而下降。
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Year： 2005
Language： Chinese
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