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采用ISE仿真软件对Al GaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369、261、495mS/mm,最大漏源电流分别为681.21、467.56、1004.6mA/mm,其特性随温度的升高而下降。
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Source ：
半导体技术
Year： 2008
Issue： S1
Volume： 33
Page： 91-93,104
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