Abstract：
本文采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备出了高质量的碳化硅(SiC)薄膜。主要研究了溅射参数对沉积SiC薄膜结构的影响,探索了SiC薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTIR)光谱测试表明在优化的参数条件下,采用射频磁控溅射法,能够制备出高质量的β-SiC薄膜.
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Year： 2001
Language： Chinese
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