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用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe／SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜．测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe／SiHBT性能的影响．研究发现，较高的衬底温度（200℃）有得于改善SiO2膜的质量．用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积SiO2制备的HBT．这说明溅射法避免了高温引起SiGe层应变驰豫所造成的HBT性能变差．
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 1999
Issue： 04
Page： 45-48
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