Indexed by：
Abstract：
本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性，ＳＥＭ分析对此也提供了有力的证据．
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体学报
Year： 1996
Issue： 12
Page： 914-918
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 10
Affiliated Colleges：
