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本发明公开了外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器，包括P型金属电极层、钝化层、周期交替生长的上分布式布拉格反射镜、高铝组分的氧化限制层、有源区、周期生长的下分布式布拉格反射镜、GaAs衬底层、N型金属电极层、电流限制氧化孔、相位匹配层、腔长匹配层、氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜和出光孔；本发明中采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的固有腔长，通过感应耦合等离子体增强气相沉积的方法外延氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜，达到控制光偏振的同时压窄线宽。本发明降低半导体激光器阈值，提高了器件的成品率。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202110058763.1
Filing Date： 2021-01-16
Publication Date： 2021-05-25
Pub. No.： CN112838474A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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