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本实用新型涉及等离子体激发装置技术领域，公开了一种微波等离子体薄膜沉积装置，包括反应体、等离子体激发锥体、薄膜沉积基台和多层微波源组件，反应体内设有微波谐振腔；每层微波源组件均包括多个微波激励源，多个微波激励源沿反应体的周向分布于反应体的侧壁；等离子体激发锥体和薄膜沉积基台分别设置于反应体的两端，等离子体激发锥体的尖部朝向微波谐振腔内；等离子体激发锥体内设有进气流道，进气流道贯通至等离子体激发锥体的尖部。该微波等离子体薄膜沉积装置在薄膜沉积基台上有大面积的高场强区域分布，从而在高场强作用下激发出大面积的等离子体区域，利于实现沉积大面积薄膜。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN202020534442.5
Filing Date： 2020-04-13
Publication Date： 2021-01-01
Pub. No.： CN212270234U
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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