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一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201610144523.2
Filing Date： 2016-03-14
Publication Date： 2018-03-09
Pub. No.： CN105836733B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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