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一种基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，属于LED技术领域，从上到下依次：二氧化硅保护层、单原子层石墨烯、接触层(可有可无)、LED芯片p-GaN层、LED芯片多量子井发光层、LED芯片n-GaN层、蓝宝石衬底，其中LED芯片p-GaN层为光子晶体结构，保护层覆盖了除了正电极和负电极以外的所有部分。本发明采用将光子晶体和单层石墨烯相结合的结构能够达到极大提高出光效率同时没有使用ITO的目的。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201310447624.3
Filing Date： 2013-09-25
Publication Date： 2016-03-02
Pub. No.： CN103489982B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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