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基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片(208)进行清洗；在p-GaN层(203)上制作第一纳米ITO薄层(202)，厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层(201)转移到(202)上；在(202)上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除(201)和(202)，然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形(201)和(202)；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201310017932.2
Filing Date： 2013-01-17
Publication Date： 2015-11-18
Pub. No.： CN103078036B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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