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本发明涉及一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，属于半导体光电子技术领域。所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器，并可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔，包括可测量长度的刻度显微镜，测定时，首先将待测半导体激光器施加小电流观察，直到半导体激光器出现微弱荧光，便可看到激光器电流限制孔形状光斑，然后用刻度显微镜观察测量光斑尺寸，即可测定电流限制孔孔径尺寸；所述测定方法对于改善模式特性的光子晶体垂直腔面发射激光器、分布孔激光器，可实现刻蚀缺陷孔即出光孔与电流限制孔的相对位置对准观察，并可随时测定电流限制孔形状，不受波长范围影响。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201010298989.0
Filing Date： 2010-09-29
Publication Date： 2012-02-22
Pub. No.： CN101975554B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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