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低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体 光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模 输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有 源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发 射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻 蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模 功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区 光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN200920109746.0
Filing Date： 2009-06-26
Publication Date： 2010-03-31
Pub. No.： CN201435527Y
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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