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一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN99109641.X
Filing Date： 1999-07-02
Publication Date： 2003-06-11
Pub. No.： CN1111313C
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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