我国航天事业发展迅速，大型空间平台的建设以及高性能电推进系统的应用对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。SiC高压功率器件抗辐射研究亟待突破。对SiC　JFET器件施加不同的偏置电压，进行重离子辐照实验，实验表明，SiC　JFET器件存在与SiC　MOSFET类似的单粒子漏电退化与单粒子烧毁2种失效模式，漏电退化程度与漏极偏置电压、重离子注量呈正相关。通过Sentaurus　TCAD仿真研究，单粒子辐照之后分为2个阶段，第1阶段P~+栅极区与N~-漂移区的PN结局部温度达到2　500　K,热应力可能是造成漏电退化的原因；第2阶段N~+衬底和N~-漂移区结处局部温度持续上升，超过SiC材料的升华温度，导致SiC　JFET器件烧毁。该研究为SiC　JFET器件的抗辐射加固与空间应用提供了一定的参考与支撑。