Abstract：
SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为第三代航天器用半导体器件,在应用前须经过抗单粒子效应试验评估.文章探究重离子加速器恒定式和脉冲式束流源这两种不同类别的辐照源对SiC MOSFET单粒子效应的影响.试验结果表明两种束流源对SiC MOSFET漏电退化影响不同.采用TCAD对SiC MOSFET单粒子效应进行仿真的结果显示,当 2 个离子在相差 100 ps的间隔时间内轰击器件时,离子间会发生相互作用,使得电场增强,对器件的栅氧化层造成损伤.尽管这种相互作用对器件发生单粒子烧毁的阈值电压无显著影响,但漏电退化现象有明显差异.研究结果可为SiC MOSFET的单粒子效应试验提供参考.
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航天器环境工程
ISSN： 1673-1379
Year： 2024
Issue： 5
Volume： 41
Page： 625-632
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