为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS　TFT)的电应力可靠性，测试了器件的I-V特性，以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱，并对其产生的新陷阱进行定位，分析了产生陷阱的内在机理。结果表明，在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件，其电学参数变化最大，自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO_2界面处和栅氧化层中的陷阱增多，而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。