相较于Si器件，SiC　MOSFET近界面氧化物陷阱区域更广，界面态陷阱密度高出2个数量级，大量陷阱不断俘获或释放电荷，导致阈值电压（V_(th)）随时间波动较大，因而V_(th)的准确重复测量成为难题。标准中阈值电压测量采用预处理的方法，保证每次测量时陷阱电荷状态的一致性，但标准中未考虑漏源电压影响预处理填充后的陷阱状态，导致阈值电压测试误差。针对该问题，首先通过测量不同漏源电压脉冲影响下的转移曲线,显示不同源漏电压对阈值电压的影响；然后,基于瞬态电流法分析了漏源电压对陷阱电荷状态的影响；进而，分析了漏源电压影响陷阱的机理；最后对比了不同漏源电压对阈值电压测量的影响。实验表明，漏源电压影响栅漏间电场正负，进而影响陷阱填充或释放电荷，导致阈值电压漂移。测量阈值电压时使用较小漏源电压可提高测量准确性，减小可靠性实验由测试因素造成的误差。