新型金属卤化物钙钛矿(简称钙钛矿)已被证明是有前途的光电材料,其已经被应用于光电探测器、发光二极管、神经元器件等诸多领域。然而目前报道的多数结型钙钛矿光电器件的尺寸约为50μm左右,限制了其在成像芯片、显示阵列、类脑芯片等领域的应用。其原因是钙钛矿与传统光刻工艺不兼容[1],导致器件尺寸受到结宽度或电极图案分辨率的限制,可见钙钛矿材料的微观图案化掺杂是制约其进一步应用的瓶颈问题。最近揭示的钙钛自掺杂现象表明,钙钛矿中离子缺陷可以调控局部掺杂水平,只要其在外部偏压下从晶格位点解离形成Frenkel缺陷,就可以实现浅能级掺杂来改变费米能级[2]。基于钙钛矿的自掺杂现象,我们提出了一种通用的微尺度图案化掺杂工艺,通过在钙钛矿中引入PEAI来调控离子迁移速率和施加外加电场使得钙钛矿中游离离子重新排布,成功制备出超小尺寸(2μm)钙钛矿光电二极管[3]。由于这种掺杂工艺不需要光刻胶,所以此工艺普遍适用于钙钛矿材料的微尺度图案化掺杂。