Ni-based　superalloys　rely　on　high　volume　fractions　of　L1(2)　ordered　gamma＇　phase　precipitates　for　strength　against　creep　deformation　at　elevated　temperatures.　However,　under　certain　conditions　dislocations　existing　in　the　FCC　gamma　matrix　may　enter　the　L1(2)　gamma＇　phase　in　pairs.　The　shear　motion　of　different　combinations　of　dislocation　pairs　creates　different　planar　defects　in　the　gamma＇　phase,　including　anti-phase　boundaries　(APB)　or　stacking　faults.　The　formation　of　an　APB　requires　the　shear　distortion　associated　with　an　a/2　＜　110　＞　dislocation　and　the　formation　of　a　stacking　fault　requires　the　shear　distortion　associated　with　a　k　＜　112　＞　dislocation.　Given　that　the　native　dislocations　in　FCC　structure　are　a/2　＜　110　＞,　the　formation　mechanism　of　k　＜　112　＞　dislocations　remains　to　be　clarified.　Different　mechanisms　have　been　suggested　for　the　formation　of　stacking　faults　in　the　gamma＇　phase　in　the　literature.　In　this　study,　the　shearing　motions　of　various　partial　dislocation　pairs　and　the　planar　defects　formed　in　the　gamma＇　phase　were　investigated　by　means　of　transmission　electron　microscopy　and　the　mechanisms　were　analyzed　in　terms　of　their　crystallographic　and　energetic　implications.　(C)　2017　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.