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目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode, LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随着LED外延和芯片技术的提升,LED的能效也得到了快速的提升。本文介绍了影响LED光源能效的因素;叙述了影响LED能效的内量子效率(internal quantum efficiency, IQE)和外量子效率(external quantum efficiency, EQE)的提升技术,阐述了GaN基LED能效的提升进程,最后对LED能效的未来发展进行了总结与展望。
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Source ：
照明工程学报
Year： 2020
Issue： 01
Volume： 31
Page： 8-15
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