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采用负偏压增强热丝化学气相沉积(CVD)方法,在沉积有MFe催化剂层及Ta或Ti过渡层的Si衬底上,通过改变沉积条件制备出不同结构的碳纳米管.扫描电子显微镜的研究结果表明,当过渡层为Ta时,碳纳米管的生长速度比Ti过渡层的大;在沉积过程中,有或无辉光放电时,生长出的碳纳米管分别是定向和弯曲的;同时还观察到随着反应气体中NH3浓度的加大,碳纳米管的生长速度会随之增大.
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微细加工技术
ISSN： 1003-8213
Year： 2005
Issue： 1
Page： 67-70
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