Abstract：
功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,分析讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻及振荡、平缓发展三个阶段,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈.最后,考察了器件结构参数抗ESD能力和雪崩耐量的影响.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
Year： 2014
Page： 588-591
Language： Chinese
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 9
Affiliated Colleges：
