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针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构的过流关断进行仿真,重点研究不同电阻连接区对器件关断过程的影响。研究结果表明:电阻连接区结构不同可以引发器件不同位置的烧毁,而当电阻连接区增加到一定长度时,可以有效避免器件烧毁.
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 2018
Issue： 02
Volume： 44
Page： 220-224
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