化学气相沉积(CVD)法制备的碳化硅(SiC)涂层是碳基材料表面防氧化涂层的理想选择,各项工艺直接影响涂层的沉积结果.为指导碳/碳(C/C)复合材料高温抗氧化SiC涂层的工艺调控,建立了　CVD法制备SiC涂层的沉积炉仿真模型,采用计算流体力学软件对沉积结果进行数值模拟研究,探究了工件摆放和主要工艺参数对沉积结果的影响,量化了主要工艺参数的影响并优选了工艺参数组合.结果表明:建立的有限元分析模型合理可靠;工件摆放方式与间距协同影响沉积结果.在工艺参数范围内,温度对沉积均匀性影响较大,影响程度达28.39％;其次是压力,影响程度为13.90％;反应物甲基三氯硅烷(MTS)流量影响最小,影响程度为6.43％.此外,随着温度、压力的减小和MTS流量的增大,沉积均匀性提高;根据影响规律对工艺进行优化后沉积均匀性提高了　102.45％.