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郝帅 (郝帅.) | 崔碧峰 (崔碧峰.) | 房天啸 (房天啸.) | 王阳 (王阳.)

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO2、TiO2和Al2O3光学薄膜.测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试.结果表明,三种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO2、TiO2和Al2O3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1 MPa.

Keyword:

折射率 薄膜 平均应力 基底温度 离子源能量

Author Community:

  • [ 1 ] [郝帅]北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124
  • [ 2 ] [崔碧峰]北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124
  • [ 3 ] [房天啸]北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124
  • [ 4 ] [王阳]北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124

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Source :

激光与光电子学进展

ISSN: 1006-4125

Year: 2018

Issue: 9

Volume: 55

Page: 452-458

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