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研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真.通过理论分析,结合TCAD软件,与常规AlGaN/AlN/GaNHEMT进行对比.对栅长为1μm的器件进行仿真,结果表明,器件的最大跨导为450 mS/mm,最大电流密度为2 A/mm,电流增益截止频率fΥ=15 GHz,最高振荡频率fmax=35 GHz.
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Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2012
Issue： 3
Volume： 42
Page： 411-414
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