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给出了一种600V内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的制造方法,它以传统穿透型IGBT(PT-IGBT)的工艺为基础,但在外延前先进行高剂量氦离子注入及退火,从而在器件集电区近集电结附近引入一个纳米空腔层.该纳米空腔层内载流子寿命很低,在物理上起电极作用,从而使器件集电区由非透明变为内透明.封装后,测试了器件性能,与电子辐照的PT-IGBT相比,ITC-IGBT的零温度点更低,关断时间和导通压降的折中更优,验证了内透明思想的正确性.同时,针对器件结构特点,通过求解输运方程和扩散方程,建市了ITC-IGBT的分析模型,并将实验样管结构参数代入模型.理论计算结果与实验结果符合较好,验证了模型的有效性.
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电力电子技术
ISSN： 1000-100X
Year： 2010
Issue： 3
Volume： 44
Page： 82-84
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
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