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基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件寿命的方法,建立了理论模型．以样品3CG120为例,进行了175～345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取样品的失效敏感参数hFE的退化量与温度的关系,得到了样品的hFE的温度特性和退化特性,并根据模型计算得到器件的失效激活能和寿命．结果与文献能很好地吻合,验证了该方法的可行性．
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 2007
Issue： 01
Page： 15-19
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