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通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价半导体器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅pnp三极管3CG120进行额定功率下,170～345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系,根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算,从而确定其对应的失效激活能.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2006
Issue： 2
Volume： 31
Page： 122-126
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