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制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10 mA增加到70 mA时,理论结果与实验结果能很好符合.
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物理学报
ISSN： 1000-3290
Year： 2007
Issue： 8
Volume： 56
Page： 4977-4982
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JCR@2022
ESI Discipline： PHYSICS;
JCR Journal Grade：2
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