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主要叙述了在ISE软件平台上对AlGaN/GaN HEMT的转移特性以及C-V特性的模拟.首先实现了通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应的模拟.其次,在此基础上改变了的AlGaN/GaN HEMT中 spacer层的厚度,分别模拟了器件的转移特性和C-V特性.从结果得知,随着spacer层厚度的增加器件的跨导和电容均有所降低,所以应该在不同的应用领城选择不同的spacer层厚度.
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闽江学院学报
ISSN： 1009-7821
Year： 2006
Issue： 5
Volume： 27
Page： 67-69,87
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