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介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1μm,获得的最大跨导为120mS/mm,最大的漏源饱和电流密度为0.95A/mm.
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Source ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2003
Issue： 8
Volume： 24
Page： 847-849
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
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WanFang Cited Count： 37
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