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Indexed by：

CQVIP PKU CSCD

Abstract：

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si　NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．

Keyword：

气态源分子束外延 双台面结构 Si/SiGe HBT

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Source ：

半导体学报

ISSN： 0253-4177

Year： 2001

Issue： 8

Volume： 22

Page： 1035-1037

Cited Count：

WoS CC Cited Count： 0

SCOPUS Cited Count：

ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All

WanFang Cited Count： 3

Chinese Cited Count：

30 Days PV： 6

Affiliated Colleges：

信息科学技术学院 本学院/部未明确归属的数据

经济与管理学院 本学院/部未明确归属的数据

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