Abstract：
＜正＞立方氮化硼(c-BN)是一种物理,化学、机械性能非常优异的宽带隙半导体材料。然而,c-BN 薄膜生长条件十分苛刻,制备参数窗口十分狭窄,因此很难高重复性制备高质量本征 c-BN 薄膜。我们对 BN 系统中各相向立方相的相变作了初步的讨论,确定在c-BN 薄膜成核与早期生长过程中,
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Year： 2007
Language： Chinese
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