Abstract：
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法.首先,概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题,从器件结构与器件制备工艺这2 个角度,综述了其性能优化举措方面的最新研究进展.然后,通过对研究进展的分析,总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法.最后,对未来的发展前景、发展方向进行了展望.
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北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2023
Issue： 8
Volume： 49
Page： 926-936
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