陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一。为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率，采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征，抑制了电压漂移现象，将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级，扩大了陷阱的表征范围，同时基于贝叶斯反卷积算法提取陷阱的时间常数等信息。基于这种方法研究了GaN基HEMT中陷阱在不同电压和温度下的捕获行为，表征其时间常数和激活能等信息。实验结果表明，该器件中存在4种不同类型的陷阱，除了先前已经在B1505上证明的激活能分别为0.058、0.041eV的陷阱DP_2和DP_3，本文还发现了位于微秒级的新陷阱DP_1，激活能为0.063eV。本文通过搭建测试平台填补了微秒级陷阱表征的空缺，为陷阱的准确、快速表征提供了极大便利。